Samsung је представио GDDR4 меморију која ради на 2 GHz на 2 V (ефективно 4 GHz DDR). Захваљујући овим карактеристикама обезбеђен је проток од 4 гигабита у секунди, односно ефективно 16 GB/s, што је отприлике 66% брже од до сада најбрже доступне меморије, која је имала максимални проток од 2.4 гигабита у секунди. Ово је остварено применом 80-нанометарског производног процеса, а први овакви чипови ће бити израђени у 512 Mb паковању.
Постави коментар